text stringclasses 10
values | source stringclasses 1
value |
|---|---|
Лабораторна робота № 26 ВИЗНАЧЕННЯ ЄМНОСТІ p-n ПЕРЕХОДУ Прилади, обладнання та матеріали: 1) досліджуваний напівпровідниковий діод ; 2) генератор сигналів (ГЗ-35 або ін. ); 3) цифровий воль тметр В7-20; 4) джерело постійного струму з регульованою вихідною напругою. Мета роботи: Дослідження впливу оберненої напруги на б... | Лр 26.pdf |
2 негативний знак носіїв заряду). Отже, в напівпровідниках n-типу (донорних) осно вними носіями електричного заряду є електрони, а неосновними-дірки. При цьому атоми донорів, втрачаючи електрони, самі стають позитивно зарядженими іонами, нерухомо закріпленими в даному місці кристалічної ґ ратки. Якщо у чотирьохвалентн... | Лр 26.pdf |
3 На практиці застосовують напівпровідники з різною концентрацією домішок-акцепторів Nа в області р та донорів Nд в області n. При контакті двох напівпровідників з різними типами провідності (електронної і діркової) на межі їх розділу утворюється область, що має назву р-n перехід. При відсутності зовнішньої напруги на... | Лр 26.pdf |
4 напруженість цього поля Е0 максимальна на межі розділу областей (рис. 3,г). Наявніс ть поля об'ємних зарядів приводить до виникнення контактної різниці потенціалів Δφ 0 на перехідному шарі. Контактна різниця потенціалів утворює потенці альн ий бар'єр, що перешкоджає переходу електронів з області n у область р з біль... | Лр 26.pdf |
5 Рис. 3. Електронно-дірковий перехід при відсутності (суцільні лінії) і наявності (пунктир) зовнішньої зворотної напруги Рис. 4. Залежність бар'єрної ємності р-n переходу від зворотної напруги x б) n, p np pn np pn р п Езв Ео +Qо-Qо + + + +---а) +-+ +--_ в) ρ +Q 0-Q0 x d0 d dp dn φ д) x Δφ0 Δφ0+U зв г) x E0 E0+E зв E... | Лр 26.pdf |
6 Бар'єрна ємність визначається формулою, аналогічною до формули для ємності плоского конденсатора: ()зв0 бUd SCεε=, (2) де ε-діелектрична проникність кристалу; S-площа р-n переходу; d(Uзв)-ширина р-n переходу в залежності від напруги Uзв; ε0 = 8,854∙10-12 Ф/м-електрична постійна. Формула (2) відрізняється від формули... | Лр 26.pdf |
7 LC 21f π=, (4) де С = б 0б 0 C CCC +⋅. (5) Рис. 5. Схема включення варикапа у коливальний контур Опис лабораторної роботи В лабораторній робот і досліджується вплив зворотної напруги на бар'єрну ємність р-n переходу. Для цього необхідно зняти і побудова ти залежні сть бар'єрної ємності від зворотної на пруги на пере... | Лр 26.pdf |
8 До складу лабораторної роботи установки входять: -генератор низької частоти Г; -конденсатор відомо ї ємності С0 (конденсатор, що запобігає попаданню постійної напруги з виходу блоку живлення на звуковий генератор); -напівпровідниковий діод-кремнієвий стабілітрон типу Д-816; -резистор R, що обмежує попадання змінної ... | Лр 26.pdf |
9 Порядок виконання роботи 1. Для зняття вольт-фарадно ї характеристики р-n переходу зібрати електричне коло за схемою, наведеною на рис. 6. 2. Після перевірки схеми лаборантом включити генератор сигналів, цифровий вольтметр і блок живлення у мережу. Вс тановити задану частоту, вихідну напруг у генератора і початкову ... | Лр 26.pdf |
10 Контрольні питання 1. При якому характері д омішок напівпровідник набуває електронної провідності? Діркової провідності? Наведіть приклади. 2. Поясніть механізм утворення р-n переходу при контакті напівпровідників с різними типами провідності. 3. Поясніть, чому р-n перехід можна застосовувати як конде нсатор. 4. Що... | Лр 26.pdf |
README.md exists but content is empty.
- Downloads last month
- 9